近日，富士通半導(dǎo)體公司正式宣布推出一款具有突破性功耗表現(xiàn)的64kb FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）芯片，該產(chǎn)品在運(yùn)行功耗方面達(dá)到了同類(lèi)產(chǎn)品中的最佳水平，特別適用于電池供電設(shè)備的開(kāi)發(fā)。

這款新型64kb FRAM采用了富士通專(zhuān)有的鐵電材料技術(shù)和低功耗電路設(shè)計(jì)，在保持高速讀寫(xiě)性能的同時(shí)，將運(yùn)行功耗降低了約30%相比傳統(tǒng)產(chǎn)品。其工作電壓范圍覆蓋1.8V至3.6V，非常適合物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療監(jiān)測(cè)設(shè)備等對(duì)電池壽命要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景。

FRAM技術(shù)結(jié)合了RAM的高速讀寫(xiě)特性和非易失性存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)保持能力，無(wú)需電池備份即可在斷電情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)。此次富士通推出的低功耗版本進(jìn)一步拓展了FRAM在便攜式設(shè)備中的應(yīng)用潛力。

據(jù)富士通半導(dǎo)體事業(yè)部負(fù)責(zé)人介紹，這款產(chǎn)品已經(jīng)完成樣品測(cè)試，預(yù)計(jì)將于下季度開(kāi)始批量供貨。該產(chǎn)品的推出標(biāo)志著低功耗存儲(chǔ)器技術(shù)在電池供電設(shè)備領(lǐng)域邁出了重要一步，將為設(shè)備制造商提供更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間和更緊湊的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可能。